차세대 나노 전자소자는 페타스케일 초저전력 디지털 및 THz 아날로그 반도체 시스템을 구현하는데 필수적인 연구 분야로서, 현재 기가급 CMOS 기반 반도체 시스템의 성능을 개선하면서 소모전력을 감소하는 반도체 소자 기술이 중요한 이슈이다. 우리 실험실은 초고성능/초저전력 동작의 새로운 소자를 나노구조의 신물질 및 나노전자회로 연구와 병행하여, 다치로직 및 메모리, 뇌신경모방소자, 플라즈마파 소자 기반 THz 신호원 및 검출기 응용연구를 하고 있다.
Development of nano-electronic emerging devices (NEEDs) is main research focus to achieve ultra-low power peta-scale digital and RF applications in THz bandwidth. Our laboratory research about novel “beyond CMOS” devices as well as high-performance /low-power nano-CMOS for multi-valued logic and memory applications, neuromorphic devices, plasma wave transistor (PWT) THz emitter and detectors based on nano-scale structures using Si/Ge/C-based and III-V novel materials as well as nano-electronic circuit design.