Nano Semiconductor Research Laboratory

반도체 나노소자 연구실

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반도체 나노소자 연구실

반도체 나노소자 연구실(NSRL)은 반도체 재료, 공정, 소자 연구를 수행하는 연구실로서, 현재 한국연구재단과 삼성미래기술육성 사업의 지원을 받아 차세대 반도체 소자로서 뉴로모픽 시스템의 인공 시냅스 소자, 멤컴퓨팅 소자, 비휘발성 메모리 소자 연구를 수행하고 있습니다.
Nano Semiconductor Research Laboratory(NSRL) performs the research on semicon￾ductor materials, processes, and devices, particularly next generation semiconductor devices including artificial synaptic devices for brain-inspired neuromorphic computing system, mem-computing devices, and nonvolatile memory devices, which are supported by National Research Foundation of Korea and Samsung Research Funding & Incubation Center for Future Technology.

Major research field

반도체 재료 및 소자, 비휘발성 메모리, 뉴로모픽 소자, 박막 트랜지스터 / Semiconductor materials and devices, Nonvolatile memory, Neuromorphic devices, Thin-film transistors

Desired field of research

반도체 재료 및 소자 / Semiconductor materials and devices

Research Keywords and Topics

반도체 재료 및 소자, 비휘발성 메모리, 박막트랜지스터, 뉴로모픽 소자
Semiconductor materials and devices, Nonvolatile memory, Thin-film transistors, Neuromorphic devices

Research Publications

• Scientific Reports / Linear and symmetric synaptic weight update characteristics by controlling filament geometry in oxide/suboxide HfOx bilayer memristive device for neuromorphic computing / Dwipak Prasad Sahu, Kitae Park, Peter Hayoung Chung, and Tae-Sik Yoon / 2023-06
• Advanced Electronic Materials / Tunable multilevel gate oxide capacitance and flat-band voltage shift characteristics by filament formation in double-floating-gate metal-oxide-semiconductor capacitors / Jimin Han, Kitae Park, Hyun-Mi Kim, and Tae-Sik Yoon / 2023-02
• Materials Today Advances / Nonvolatile memory characteristics associated with oxygen ion exchange in thin-film transistors with indium-zinc oxide channel and HfO2-x gate oxide / Jimin Han, Boyoung Jeong, Yuri Kim, Joonki Suh, Hongsik Jeong. Hyun-Mi Kim, and Tae-Sik Yoon / 2022-05

Patents

• 반도체 소자 / 윤태식 / 등록번호: 10-2557969 / 2023-07
• 자가-선택형 양극 인공 시냅스 소자 및 그의 제조방법 / 윤태식, 정하영 / 출원번호: 10-2022-0105046 / 2022-08
• 문턱 스위칭 선택소자 및 그의 제조방법 / 윤태식, Dwipak Prasad Sahu / 출원번호: 10-2022-0050672 / 2022-04
• Semiconductor device / Tae-Sik Yoon / Appl No.(US): 17/393,805 / 2021-08
• 아날로그 멤리스터 및 멤캐패시터 특성을 갖는 전자소자와 그 제조방법 / 윤태식, 노영준 / 등록번호 : 10-1803740 / 2017-11
• 이중게이트를이용한시냅틱트랜지스터소자/윤태식,박종성/등록번호: 10-1785949 /2017-10

국가과학기술표준분류

  • ED. 전기/전자
  • ED04. 반도체소자·시스템
  • ED0405. 반도체 재료

국가기술지도분류

  • 정보-지식-지능화 사회 구현
  • 010400. 반도체/나노 신소자 기술

녹색기술분류

  • 녹색기술관련 과제 아님
  • 녹색기술관련 과제 아님
  • 999. 녹색기술 관련과제 아님

6T분류

  • IT 분야
  • 핵심부품
  • 010114. 고밀도 정보저장장치 기술