Nano Semiconductor Research Laboratory

반도체 나노소자 연구실

관련기사 바로가기
반도체 나노소자 연구실

반도체 나노소자 연구실(NSRL)은 반도체 재료, 공정, 소자 연구를 수행하는 연구실로서, 현재 한국연구재단과 삼성미래기술육성 사업의 지원을 받아 차세대 반도체 소자로서 뉴로모픽 시스템의 인공 시냅스 소자, 멤컴퓨팅 소자, 비휘발성 메모리 소자 연구를 수행하고 있습니다.
Nano Semiconductor Research Laboratory(NSRL) performs the research on semicon￾ductor materials, processes, and devices, particularly next generation semiconductor devices including artificial synaptic devices for brain-inspired neuromorphic computing system, mem-computing devices, and nonvolatile memory devices, which are supported by National Research Foundation of Korea and Samsung Research Funding & Incubation Center for Future Technology.

Major research field

반도체 재료 및 소자, 비휘발성 메모리, 뉴로모픽 소자, 박막 트랜지스터 / Semiconductor materials and devices, Nonvolatile memory, Neuromorphic devices, Thin-film transistors

Desired field of research

반도체 재료 및 소자 / Semiconductor materials and devices

Research Keywords and Topics

반도체 재료 및 소자, 비휘발성 메모리, 박막트랜지스터, 뉴로모픽 소자
Semiconductor materials and devices, Nonvolatile memory, Thin-film transistors, Neuromorphic devices

Research Publications

• ACS Applied Materials & Interfaces / Enhanced Nonvolatile Electrochemical Random-Access Memory and Artificial Synapse Characteristics through Oxygen Ion-Exchange Engineering in an Atomic-Layer-Deposited HfO2–x Gate Insulator and a Zinc Oxide Channel Layer / Jimin Han, Taeyun Noh, Boyoung Jeong, Peter Hayoung Chung, Garam Park, Min-Hyun Lee, Yumin Kim, Tae-Sik Yoon / 2025-06
• ACS Applied Materials & Interfaces / Artificial Synaptic Properties in Oxygen-Based ElectrochemicalRandom-Access Memory with CeO2 Nanoparticle Assembly as GateInsulator for Neuromorphic Computing / Boyoung Jeong, Taeyun Noh, Jimin Han, Jiyeon Ryu, Jae-Gwan Park, Younguk Kim, Yonghoon Choi, Sehyun Lee, Jongnam Park, and Tae-Sik Yoon / 2025-03
• Advanced Electronic Materials / Self-selective crossbar synapse array with n-ZnO/p-NiOx/n-ZnO structure for neuromorphic computing / Peter Hayoung Chung, Jiyeon Ryu, Daejae Seo, Dwipak Prasad Sahu, Minju Song, Junghwan Kim, and Tae-Sik Yoon / 2025-02

Patents

• Semiconductor Device with multiple floating gates for multi-level capacitance change, Tae-Sik Yoon, Patent No. US11,810,983, Nov. 17, 2023.
• 문턱 스위칭 선택소자 및 그의 제조방법 / 윤태식, Dwipak Prasad Sahu, 등록번호: 10-2810371, May. 15, 2025.

​

국가과학기술표준분류

  • ED. 전기/전자
  • ED04. 반도체소자·시스템
  • ED0405. 반도체 재료

국가기술지도분류

  • 정보-지식-지능화 사회 구현
  • 010400. 반도체/나노 신소자 기술

녹색기술분류

  • 녹색기술관련 과제 아님
  • 녹색기술관련 과제 아님
  • 999. 녹색기술 관련과제 아님

6T분류

  • IT 분야
  • 핵심부품
  • 010114. 고밀도 정보저장장치 기술