반도체 나노기술 연구실은 UNIST 신소재공학과 및 반도체대학원 소속으로 차세대 지능형 반도체 소자 구현을 위한 나노전자소재 합성, 박막 공정 개발 및 로직/메모리 소자 분석 연구를 수행하고 있습니다. 이를 위해, i) 원자수준 두께를 지니는 칼코게나이드 2D 반도체 및 상변화 메모리 소재의 합성, ii) 초미세, 초절전, 고신뢰 반도체 소자 제작공정 및 iii) 인공지능 뉴로모픽 응용을 위한 비휘발성 메모리 소자 개발을 세부목표로 세우고, 근미래의 신경모방 컴퓨팅 하드웨어 실현을 위한 요소 기술로 활용될 수 있는 소재/공정/소자 플랫폼 제시에 역량을 집중하고 있습니다.
Semiconductor technology has revolutionized our world over the past decades enabling modern consumer electronics, and the success has relied on the development of emerging electronic materials and devices. In this regard, our research has aided in the development of understandings of material physics and engineering in nanoscale semiconductors and manipulation their properties at all relevant length scales. Thus, the core of our research is to design artificially structured semiconductors to meet the growing material challenge for next-generation computing, memory technology, and thermal energy harvesting. It will be led by our vision is to innovate semiconductor nanotechnologies stepping from i) synthesis of novel nanomaterials including two-dimensional (2D) layered crystals, phase change materials and nanostructured metal oxide/halide and ii) manipulation/assembly with atomic precision and spatial control, and ultimately iii) integrating them into high-performance devices, which will help our society achieve energy security as well as enter the next chapter of semiconductor innovation.